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产品详细信息
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
最大工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
Pd-功率耗散: 385 W
工厂包装数量: 10

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